买卖IC网 >> 产品目录 >> TK32E12N1,S1X MOSFET N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

TK32E12N1,S1X

库存数量：570
制造商：Toshiba
描述：MOSFET N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC
TK32E12N1,S1X PDF下载
制造商 Toshiba
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 120 V
闸/源击穿电压 20 V
漏极连续电流 60 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 11 mOhms
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 Through Hole
封装 / 箱体 TO-220
封装 Tube
相关资料
属性
链接
代理商 TK32E12N1,S1X
TK33S10N1Z
TK33S10N1Z,LQ
TK34A10N1
TK34A10N1,S4X
TK34E10N1
供应商
公司名
电话
深圳市创芯弘科技有限公司 13410000176 (2014年前十佳IC供应商)
北京耐芯威科技有限公司 010-62962871 刘先生
北京京北通宇电子元件有限公司 18724450645 吴
上海鑫科润电子科技有限公司 18521007236 鑫科润
天阳诚业科贸有限公司 17862669251 洪宝宇
深圳市升发继电器贸易有限公司 0754-84453743 苏先生
深圳市翔微电子科技有限公司 0755-23901885 陈铁军
上海航霆电子技术有限公司 0755-83742594 林生18701789587
北京京北通宇电子元件有限公司 18724450645 吴
  • TK32E12N1,S1X 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 2.608 2.608
    10 2.112 21.12
    100 1.904 190.4
    250 1.684 421